[发明专利]封装结构以及封装方法有效
| 申请号： | 201010257486.9 | 申请日： | 2010-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN101964313A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 胡津津;杨红颖;刘渊非;张力兵;杨芹;王文龙;俞国庆;王蔚 | 申请（专利权）人： | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 215126 江苏省苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种封装方法以及封装结构，其中所述方法包括：提供半封装结构，包括压合的晶圆以及基板，所述晶圆相对于基板的背面形成有暴露部分芯片焊垫的V形沟槽；所述V形沟槽沿晶圆上相邻半导体芯片之间的切割线设置，并关于所述切割线对称；在晶圆背面形成第一绝缘掩模层；在V形沟槽的底部形成穿透第一绝缘掩模层以及芯片焊垫的通孔；在晶圆背面制作外引线、球下金属层以及焊接凸点，所述外引线的一端形成于通孔内，其至少覆盖通孔内壁露出的芯片焊垫，另一端通过球下金属层与焊接凸点电连通。本发明无需采用机械切割对V形沟槽进行半切，简化了工艺步骤，降低了工艺难度，所形成的封装结构简单，成本低廉易于生产制造的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种封装方法，其特征在于，包括步骤：提供半封装结构，所述半封装结构包括压合的晶圆以及基板，所述晶圆相对于基板的背面形成有暴露部分芯片焊垫的V形沟槽；所述V形沟槽沿晶圆上相邻半导体芯片之间的切割线设置，并关于所述切割线对称；在所述晶圆背面形成第一绝缘掩模层；在所述V形沟槽的底部形成穿透第一绝缘掩模层以及芯片焊垫的通孔；在所述晶圆背面制作外引线、球下金属层以及焊接凸点，所述外引线的一端形成于通孔内，其至少覆盖通孔内壁露出的芯片焊垫，另一端通过球下金属层与焊接凸点电连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
