[发明专利]封装结构以及封装方法

权利要求书

1.一种封装方法，其特征在于，包括步骤：

提供半封装结构，所述半封装结构包括压合的晶圆以及基板，所述晶圆相对于基板的背面形成有暴露部分芯片焊垫的V形沟槽；所述V形沟槽沿晶圆上相邻半导体芯片之间的切割线设置，并关于所述切割线对称；

在所述晶圆背面形成第一绝缘掩模层；

在所述V形沟槽的底部形成穿透第一绝缘掩模层以及芯片焊垫的通孔；

在所述晶圆背面制作外引线、球下金属层以及焊接凸点，所述外引线的一端形成于通孔内，其至少覆盖通孔内壁露出的芯片焊垫，另一端通过球下金属层与焊接凸点电连通。

2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述制作外引线、球下金属层以及焊接凸点的步骤为：

在所述通孔内以及绝缘掩模层表面形成中介金属层；

图形化所述中介金属层形成外引线以及球下金属层，所述外引线一端至少覆盖V形沟槽底部通孔内壁露出的芯片焊垫，另一端延伸至V形沟槽外的晶圆背面与球下金属层连接；

在晶圆背面形成覆盖外引线以及球下金属层的第二绝缘掩模层；

图形化所述第二绝缘掩模层，形成暴露出球下金属层的开口；

在所述开口内制作焊接凸点。

3.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述通孔采用激光穿孔工艺形成。

4.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第一绝缘掩模层的材质为高分子有机聚合物，采用喷涂工艺形成。

5.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述中介金属层采用溅射工艺形成。

6.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述第二绝缘掩模层的材质为高分子有机聚合物，采用喷涂工艺形成。

7.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述V形沟槽的底部形成穿透第一绝缘掩模层以及芯片焊垫的通孔包括：在V形沟槽的底部，位于切割线的两侧，成对地形成通孔，且使得所述通孔的孔径小于V形沟槽底部宽度的1/2。

8.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述V形沟槽的底部形成穿透第一绝缘掩模层以及芯片焊垫的通孔包括：在V形沟槽的底部的切割线上形成通孔，且使得所述通孔的孔径小于V形沟槽底部宽度。

9.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，还包括采用机械切割工艺沿切割线将晶圆切割成分立的半导体芯片的步骤。

10.一种封装结构，包括粘接的晶圆以及基板，所述晶圆相对于基板的背面形成有沿相邻半导体芯片之间的切割线设置且关于所述切割线对称的V形沟槽；覆于晶圆背面的第一绝缘掩模层；位于晶圆背面与芯片焊垫电连通的外引线、球下金属层以及焊接凸点；其特征在于：所述V形沟槽底部形成有穿透第一绝缘掩模层以及芯片焊垫的通孔，所述外引线的一端形成于通孔内，其至少覆盖通孔内壁露出的芯片焊垫，另一端通过球下金属层与焊接凸点电连通。

11.如权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述第一绝缘掩模层为高分子有机聚合物。

12.如权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述外引线、球下金属层的表面还覆有第二绝缘掩模层。

13.如权利要求12所述的封装结构，其特征在于，所述第二绝缘掩模层材质为高分子有机聚合物。

14.如权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述通孔为圆形。

15.如权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述通孔设置于切割线两侧，且孔径小于V形沟槽底部宽度的1/2。

16.如权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述通孔设置于切割线上，且孔径小于V形沟槽底部宽度。