[发明专利]芯片电极多层互连结构的制备方法无效
| 申请号： | 201010252423.4 | 申请日： | 2010-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN101950741A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 刘景全;芮岳峰;杨春生;闫肖肖;唐刚 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种生物医学技术领域的芯片电极多层互连结构的制备方法，首先在基片上图形化光刻胶确定芯片位置，将芯片置于基片后在芯片表面化学气象沉积一层聚合物薄膜以固定芯片，并在基片的芯片位置以外部分浇注一层厚度为500μm的聚合物层并固化处理后将基片剥离，使芯片被聚合物层包裹，然后依次在整个聚合物层表面重复n次进行：溅射并图形化金属层、化学气象沉积聚合物薄膜6～8μm并图形化聚合物薄膜实现多层芯片电极的互连，其中n为3或3以上的自然常数。本发明制备得到的结构使单位面积上芯片与电极的互连数量大大增加，有利于电极刺激和采集的效果，可以方便应用于人工假体装置内。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 电极 多层 互连 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片电极多层互连结构的制备方法，其特征在于：首先在基片上图形化光刻胶确定芯片位置，将芯片置于基片后在芯片表面化学气象沉积一层聚合物薄膜以固定芯片，并在基片的芯片位置以外部分浇注一层厚度为500μm的聚合物层并固化处理后将基片剥离，使芯片被聚合物层包裹，然后依次在整个聚合物层表面重复n次进行：溅射并图形化金属层、化学气象沉积聚合物薄膜6～8μm并图形化聚合物薄膜实现多层芯片电极的互连，其中n为3或3以上的自然常数。
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