[发明专利]芯片电极多层互连结构的制备方法

权利要求书

1.一种芯片电极多层互连结构的制备方法，其特征在于：首先在基片上图形化光刻胶确定芯片位置，将芯片置于基片后在芯片表面化学气象沉积一层聚合物薄膜以固定芯片，并在基片的芯片位置以外部分浇注一层厚度为500μm的聚合物层并固化处理后将基片剥离，使芯片被聚合物层包裹，然后依次在整个聚合物层表面重复n次进行：溅射并图形化金属层、化学气象沉积聚合物薄膜6～8μm并图形化聚合物薄膜实现多层芯片电极的互连，其中n为3或3以上的自然常数。

2.根据权利要求1所述的芯片电极多层互连结构的制备方法，其特征是，所述的图形化光刻胶确定芯片位置是指：首先在基片上以1900转/分的速度旋涂AZ 4903光刻胶60秒，然后采用AZ-400K显影液显影150秒确定芯片位置。

3.根据权利要求1所述的芯片电极多层互连结构的制备方法，其特征是，所述的化学气象沉积是指：采用化学气象法在芯片表面沉积一层厚度为2～4μm的聚对二甲苯。

4.根据权利要求1所述的芯片电极多层互连结构的制备方法，其特征是，所述的浇注聚合物层为聚二甲基硅氧烷。

5.根据权利要求1所述的芯片电极多层互连结构的制备方法，其特征是，所述的固化处理是指：将浇注聚合物层置于烘箱中以80℃烘3小时。

6.根据权利要求1所述的芯片电极多层互连结构的制备方法，其特征是，所述的金属层为金、钛或铂。