[发明专利]制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201010248117.3 | 申请日： | 2010-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN101996941A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 权永秀 | 申请（专利权）人： | 奥拓股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/314;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道始兴市正往洞*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种制造半导体装置的方法。在所述方法中，在薄的衬垫形成在上面形成下部互连件的衬底上之后，供应硅源以通过在所述硅源与所述下部互连件之间进行反应而在所述衬垫之下形成硅化物层，且使所述硅化物层氮化并形成蚀刻挡止层。因此，防止所述下部互连件与所述硅源接触，从而可防止所述下部互连件的表面电阻的变化，且因此可制造高速度装置。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，包括：制备上面形成下部互连件的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成衬垫；在所述下部互连件上在所述衬垫之下形成硅化物层；使所述硅化物层氮化；以及在所述衬垫上沉积薄层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
