[发明专利]制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201010248117.3 | 申请日： | 2010-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN101996941A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 权永秀 | 申请（专利权）人： | 奥拓股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/314;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道始兴市正往洞*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
1.一种制造半导体装置的方法，包括：
制备上面形成下部互连件的半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成衬垫；
在所述下部互连件上在所述衬垫之下形成硅化物层；
使所述硅化物层氮化；以及
在所述衬垫上沉积薄层。
2.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中通过产生等离子来执行所述衬垫的形成、所述硅化物层的氮化以及所述薄层的沉积。
3.根据权利要求2所述的制造半导体装置的方法，其中在不产生等离子的情况下执行所述硅化物层的形成。
4.根据权利要求3所述的制造半导体装置的方法，其中在原处执行所述衬垫的形成、所述硅化物层的形成、所述硅化物层的氮化以及所述薄层的沉积。
5.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中所述衬垫和所述薄层由相同材料形成。
6.一种制造半导体装置的方法，包括：
制备上面形成下部互连件的半导体衬底；
通过使用第一源和第二源在所述半导体衬底上形成衬垫；
通过使用所述第二源在所述下部互连件上在所述衬垫之下形成硅化物层；
通过使用所述第一源使所述硅化物层氮化；以及
通过使用所述第一源和所述第二源来沉积薄层。
7.根据权利要求6所述的制造半导体装置的方法，其中在所述衬垫的形成之前，所述制造半导体装置的方法进一步包括通过使用所述第一源从所述半导体衬底移除自然氧化物层。
8.根据权利要求7所述的制造半导体装置的方法，其中在供应所述第一源的相同时间或在预定延迟时间之后供应净化气体。
9.根据权利要求8所述的制造半导体装置的方法，其中以恒定流率或逐渐增加的流率供应所述净化气体。
10.根据权利要求7所述的制造半导体装置的方法，其中所述衬垫和所述薄层由相同材料形成。
11.根据权利要求7所述的制造半导体装置的方法，其中所述衬垫和所述薄层中的每一者具有根据所述第一源和所述第二源的比率而变化的性质。
12.根据权利要求6所述的制造半导体装置的方法，其中通过产生等离子来执行所述衬垫的形成、所述硅化物层的氮化以及所述薄层的沉积。
13.根据权利要求12所述的制造半导体装置的方法，其中在不产生等离子的情况下执行所述硅化物层的形成。
14.根据权利要求13所述的制造半导体装置的方法，其中在原处执行所述衬垫的形成、所述硅化物层的形成、所述硅化物层的氮化以及所述薄层的沉积。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥拓股份有限公司，未经奥拓股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010248117.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种便于运输的组合式超容量环保炭化炉
- 下一篇：单油缸三角度抽芯机构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
