[发明专利]一种制作高选择性半导体薄膜材料的方法无效
| 申请号： | 201010247733.7 | 申请日： | 2010-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN102375029A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 李冬梅;周文;刘明;侯成诚;汪幸;闫学锋;谢常青;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01N29/02 | 分类号： | G01N29/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制作高选择性半导体薄膜材料的方法，该方法包括：步骤1：将5至15mg的多壁碳纳米管与50至100mg的SnO2均匀混合溶于一定量的甘油；步骤2：充分搅拌后在60℃下超声振荡两个小时使其充分分散；步骤3：用10至50μl移液器吸取部分混合溶液滴涂在器件的敏感膜上；步骤4：将器件放到真空干燥箱，在140℃下干燥两小时去除水分和有机物。本发明通过将SnO2混合碳纳米管作为声表面波NO2气体传感器的敏感膜材料，实现了在室温下检测低浓度的NO2气体。通过掺杂碳纳米管，大大的增加了膜的比表面积，从而提高了敏感膜的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 选择性 半导体 薄膜 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种制作高选择性半导体薄膜材料的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：将5至15mg的多壁碳纳米管与50至100mg的SnO2均匀混合溶于一定量的甘油；步骤2：充分搅拌后在60℃下超声振荡两个小时使其充分分散；步骤3：用10至50μl移液器吸取部分混合溶液滴涂在器件的敏感膜上；步骤4：将器件放到真空干燥箱，在140℃下干燥两小时去除水分和有机物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010247733.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：支撑垫
- 下一篇：煤矿用刮板输送机中部槽综合测量检具及测量方法
