[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供了半导体装置及其制造方法。半导体装置包括化合物半导体基板、n-沟道场效晶体管区域以及p-沟道场效晶体管区域。n-沟道场效晶体管区域形成在化合物半导体基板上并且包括：第一沟道层；n型第一势垒层，与第一沟道层形成异质结并且供应n型电荷到第一沟道层；及p型栅极区域，具有相对于n型第一势垒层的pn结型势垒。p-沟道场效晶体管区域形成在化合物半导体基板上并且包括：p型第二沟道层；以及n型栅极区域，具有相对于p型第二沟道层的pn结型势垒。

主权项

一种半导体装置，包括：化合物半导体基板；n‑沟道场效晶体管区域，形成在所述化合物半导体基板上，并且包括：第一沟道层；n型第一势垒层，与所述第一沟道层形成异质结并且供应n型电荷到所述第一沟道层；以及p型栅极区域，具有相对于所述n型第一势垒层的pn结型势垒；以及p‑沟道场效晶体管区域，形成在所述化合物半导体基板上，并且包括：p型第二沟道层；和n型栅极区域，具有相对于所述p型第二沟道层的pn结型势垒。