[发明专利]共射共基电路和半导体装置

摘要

本发明提供了一种具有高的电源抑制比且可以工作于低电压的参考电压电路。该参考电压电路包括偏置电路，构造成使得耗尽型晶体管(3)串联连接到负载电路的电源电压供给端，用于检测流过该负载电路以作为电流源工作的增强型MOS晶体管(4)连接到该负载电路，耗尽型MOS晶体管(5)串联连接到该晶体管(4)，且晶体管(5)的栅极端连接到晶体管(5)的源极端，其中耗尽型晶体管(3)的栅极端连接到耗尽型晶体管(5)的源极端。

主权项

一种包括共射共基电路的半导体装置，所述共射共基电路包括：第一N沟道耗尽型MOS晶体管，其源极和栅极相互连接；第二N沟道耗尽型MOS晶体管，其栅极连接到所述第一N沟道耗尽型MOS晶体管的栅极；第三N沟道耗尽型MOS晶体管，其漏极连接到所述第二N沟道耗尽型MOS晶体管的源极，且其源极和栅极相互连接；第二N沟道增强型MOS晶体管，其漏极连接到所述第三N沟道耗尽型MOS晶体管的源极；第一N沟道增强型MOS晶体管，其漏极连接到所述第一N沟道耗尽型MOS晶体管的源极；第四N沟道耗尽型MOS晶体管，其栅极连接到所述第一N沟道耗尽型MOS晶体管的栅极；第五N沟道耗尽型MOS晶体管，其漏极连接到所述第四N沟道耗尽型MOS晶体管的源极，且其栅极连接到所述第三N沟道耗尽型MOS晶体管的源极；以及多个串联连接的电阻，连接到所述第一和第二N沟道增强型MOS晶体管的栅极并连接到所述第五N沟道耗尽型MOS晶体管的源极，其中，所述共射共基电路构造成使得从所述多个串联连接的电阻的任意连接点输出正的恒定电压，以及所有MOS晶体管的衬底电势接地。