[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件的结构，包括：半导体衬底；形成于半导体衬底上的栅极结构，其中，栅极结构包括：在半导体衬底上的界面层、在界面层上的第一高k栅介质层、在第一高k栅介质层上的第二高k栅介质层、在第二高k栅介质层上的第三高k栅介质层、在第三高k栅介质层上的金属栅层，其中第二高k栅介质层的介电常数高于第一和第三高k栅介质层的介电常数。本发明是在MOS器件的第一和第三高k栅介质层内插入第二高k栅介质层，该第二高k栅介质层作为更高k介质，能够有效降低等效氧化层厚度。同时，由于对第一、第二和第三高k栅介质层之间界面处存在的界面偶极子的进行优化处理，因此该结构还能有效调节MOS器件的阈值电压。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的栅极结构，其中，所述栅极结构包括：在所述半导体衬底上的界面层、在所述界面层上的第一高k栅介质层、在所述第一高k栅介质层上的第二高k栅介质层、在所述第二高k栅介质层上的第三高k栅介质层、在所述第三高k栅介质层上的金属栅层，其中所述第二高k栅介质层的介电常数高于所述第一和第三高k栅介质层的介电常数。