[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201010213490.5 | 申请日： | 2010-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101930919A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 小笠原淳;神山徹;远藤恭介 | 申请（专利权）人： | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/861;H01L29/41;H01L21/3205;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 陈万青;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种抑制漏电流，可以在流通微小电流的区域降低电压降的半导体装置及其制造方法。半导体装置的制造方法如下：在n型半导体层的一侧表面附近，形成浓度设定成在流通微小电流的区域产生电压降的p型半导体层，形成pn结；在p型半导体层的表面形成铝的膜；使铝与p型半导体层的硅通过烧结处理进行反应生成铝-硅化物膜；将存在于铝-硅化物膜的上部的、没有与硅发生反应的铝通过蚀刻除去，从而使表面粗糙表面化；在粗糙表面化的铝-硅化物膜上形成镍膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，在n型半导体层的一侧表面附近，形成浓度设定成在流通微小电流的区域产生电压降的p型半导体层，形成pn结，在所述p型半导体层的表面形成铝的膜，使所述铝与所述p型半导体层的硅通过烧结处理进行反应生成铝 硅化物膜，将存在于所述铝 硅化物膜的上部的、没有与所述硅发生反应的铝通过蚀刻除去，从而使表面粗糙表面化，在所述粗糙表面化的铝 硅化物膜上形成镍膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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