[发明专利]芯片的凸块结构及凸块结构的制造方法无效

专利信息
申请号: 201010203119.0 申请日: 2010-06-07
公开(公告)号: CN102270623A 公开(公告)日: 2011-12-07
发明(设计)人: 黄成棠 申请(专利权)人: 南茂科技股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L21/48
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 骆希聪
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种芯片的凸块结构包括至少一弹性凸块、至少一第一金属层、至少一第二金属层及至少一焊球。凸块结构可形成于一基板上,基板可包括至少一焊垫及一介电层,介电层具有至少一开口,其中至少一开口暴露相应的至少一焊垫。至少一弹性凸块覆盖相应的至少一焊垫的部分。至少一第一金属层相应地覆盖至少一弹性凸块及至少一焊垫的未被至少一弹性凸块遮盖的部分。至少一第二金属层相应地形成于位在至少一弹性凸块的顶部的第一金属层上。至少一焊球相应地形成于第二金属层上。
搜索关键词: 芯片 结构 制造 方法
【主权项】:
一种芯片的凸块结构,其是形成于一基板上,该基板包括至少一焊垫及一介电层,该介电层具有至少一开口,其中该至少一开口暴露相应的该至少一焊垫,该凸块结构包含:至少一弹性凸块,相应地覆盖部分的该至少一焊垫的中间部位;至少一第一金属层,相应地覆盖该至少一弹性凸块与该至少一焊垫的未被该至少一弹性凸块遮盖的部分;至少一第二金属层,相应地形成于位在该至少一弹性凸块的顶部的至少一第一金属层上;以及至少一焊球,相应地形成于该至少一第二金属层上,而位于该至少一弹性凸块的顶端。
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