[发明专利]基于金属氧化物气相沉积铁电动态随机存储器及制备方法

摘要

本发明涉及基于金属氧化物气相沉积铁电动态随机存储器，包括：硅衬底，源区、漏区，隔离层介质膜，铁电薄膜层，栅电极，源极，漏极，以及用于器件测量的衬底接触区和衬底接触电极；所述隔离层介质为：ZrO2、TiO2中的任意一种；所述铁电薄膜层为：Pb(Zr1-xTix)O3(PZT)，各组份的摩尔比例为：Pb∶(Zr+Ti)∶O＝1∶1∶3，Zr∶Ti＝(1-x)∶x，x取值范围为0.1＜x＜1.0；该方法包括：对硅衬底进行清洗、氧化层；先后光刻，依次形成源漏区、衬底接触区并生长氧化层及栅区：生长隔离层介质薄膜和铁电薄膜：制备电极金属层：形成栅电极：形成接触孔：制备金属层，形成衬底接触电极金属层及合金化处理。本发明获得了大面积、均匀致密的、性能良好的存储介质薄膜和隔离层材料，用其制备的器件具有更小的漏电，更高的保持特性。

主权项

一种基于金属氧化物气相沉积铁电动态随机存储器，包括：硅衬底，源区、漏区，隔离层介质膜，铁电薄膜层，栅电极，源极，漏极，以及用于器件测量的衬底接触区和衬底接触电极；在硅衬底中形成源区，漏区和衬底接触区，在硅衬底的上面形成隔离层介质膜，在隔离层介质膜上面形成铁电薄膜层，在铁电薄膜层上面形成栅电极；源极和漏极在栅电极的两侧；其特征在于，所述隔离层介质为：ZrO2、TiO2中的任意一种；所述铁电薄膜层为：Pb(Zr1‑xTix)O3，各组份的摩尔比例为：Pb∶(Zr+Ti)∶O＝1∶1∶3，Zr∶Ti＝(1‑x)∶x，x取值范围为0.1＜x＜1.0；所述薄膜厚度为100nm～300nm。