[发明专利]保护对准标记的方法及以此方法形成的半导体元件

摘要

本发明公开了一种在平面化工艺中防止对准标记受损的方法及以此方法形成的半导体元件。其中，在平面化工艺中防止对准标记受损的方法包括：提供一衬底，在衬底中形成多个对准标记沟道，在衬底上形成第一介电层，在第一介电层上形成第二介电层，图案化第二介电层以暴露出相关于对准标记沟道的第一介电层，以形成一图案化的第二介电层，其中对准标记沟道及图案化的第二介电层界定出多个开口，在图案化的第二介电层上形成一第三介电层，且第三介电层填满开口，以及利用图案化的第二介电层作为终止层，将第三介电层平面化，在开口中形成残留的第三介电层。

主权项

一种在平面化工艺中防止对准标记受损的方法，其特征在于，该方法包括：提供一衬底，其包括一第一区域及一第二区域；形成多个沟道，该多个沟道自该第二区域的一表面延伸至该衬底中；在该衬底上形成一第一介电层；在该第一介电层上形成一第二介电层；移除该第一介电层及该第二介电层的多个部分以暴露出该衬底的该第一区域中的多个部分，并移除在该第二区域中的该多个沟道上方的该第二介电层，以形成一图案化的第二介电层，该第二区域中的该多个沟道及该图案化的第二介电层界定出多个开口；通过该多个暴露的部分，刻蚀该衬底；在该图案化的第二介电层上形成一第三介电层；以及以该图案化的第二介电层作为终止层，平面化该第三介电层，以在该第一区域形成多个隔离特征，并在该第二区域的该多个开口中形成残留的第三介电层，其中该残留的第三介电层包括一第一部份及一第二部份，该第一部份在该衬底之中，该第二部份在该衬底之上。