[发明专利]保护对准标记的方法及以此方法形成的半导体元件

权利要求书

1.一种在平面化工艺中防止对准标记受损的方法，其特征在于，该方法包括：

提供一衬底，其包括一第一区域及一第二区域；

形成多个沟道，该多个沟道自该第二区域的一表面延伸至该衬底中；

在该衬底上形成一第一介电层；

在该第一介电层上形成一第二介电层；

移除该第一介电层及该第二介电层的多个部分以暴露出该衬底的该第一区域中的多个部分，并移除在该第二区域中的该多个沟道上方的该第二介电层，以形成一图案化的第二介电层，该第二区域中的该多个沟道及该图案化的第二介电层界定出多个开口；

通过该多个暴露的部分，刻蚀该衬底；

在该图案化的第二介电层上形成一第三介电层；以及

以该图案化的第二介电层作为终止层，平面化该第三介电层，以在该第一区域形成多个隔离特征，并在该第二区域的该多个开口中形成残留的第三介电层，其中该残留的第三介电层包括一第一部份及一第二部份，该第一部份在该衬底之中，该第二部份在该衬底之上。

2.根据权利要求1所述的在平面化工艺中防止对准标记受损的方法，其特征在于，在平面化该第三介电层之后，更包括：

移除该图案化的第二介电层；

在该多个隔离特征及该残留的第三介电层上形成导体层；以及

以该多个隔离特征及该残留的第三介电层其中之一作为终止层，平面化该导体层。

3.根据权利要求2所述的在平面化工艺中防止对准标记受损的方法，其特征在于，该多个隔离特征及该残留第三介电层的该第二部份彼此齐平。

4.根据权利要求1所述的在平面化工艺中防止对准标记受损的方法，其特征在于，该第一介电层及该第三介电层分别包括氧化硅及氮氧化硅其中之一。

5.根据权利要求1所述的在平面化工艺中防止对准标记受损的方法，其特征在于，该第二介电层包括氮化硅。

6.一种在平面化工艺中防止对准标记受损的方法，其特征在于，该方法包括：

提供一衬底，该衬底包括一表面；

形成多个沟道，该沟道自该表面延伸至该衬底中；

在该衬底上形成一第一介电层；

在该第一介电层上形成一第二介电层；

移除该多个沟道上方的该第二介电层，以形成一图案化的第二介电层，该多个沟道及该图案化的第二介电层界定出多个开口；

在该图案化的第二介电层上形成一第三介电层，该第三介电层填满该多个开口；以及

以该图案化的第二介电层作为终止层，平面化该第三介电层，在该多个开口中形成残留的第三介电层，其中该残留的第三介电层包括一第一部份及一第二部份，该第一部份在该衬底之中，该第二部份在该衬底之上。

7.根据权利要求6所述的在平面化工艺中防止对准标记受损的方法，，其特征在于：

移除该图案化的第二介电层；

在该第一介电层及该残留的第三介电层上形成一导体层；以及

以该残留的第三介电层以作为终止层，平面化该导体层。

8.根据权利要求6所述的在平面化工艺中防止对准标记受损的方法，其特征在于，图案化该第二介电层更包括：

移除在该多个沟道之上的一第二介电层；以及

在该衬底的一主动区域上形成一图案化的区域，其中该图案化的区域暴露出该衬底的多个部分。

9.根据权利要求8所述的在平面化工艺中防止对准标记受损的方法，其特征在于，更包括：

通过该多个暴露的部分，刻蚀该衬底；以及

在该图案化的第二介电层上形成该第三介电层以及平面化该第三介电层之后，形成多个隔离特征。

10.根据权利要求9所述的在平面化工艺中防止对准标记受损的方法，其特征在于，在平面化该第三介电层之后，更包括：

移除该图案化的第二介电层；

在该多个隔离特征及该残留的第三介电层上形成一导体层；以及

以该多个隔离特征及该残留第三介电层其中之一作为终止层，平面化该导体层。

11.根据权利要求9所述的在平面化工艺中防止对准标记受损的方法，其特征在于，该多个隔离特征及该残留的第三介电层的该第二部分彼此齐平。

12.根据权利要求6所述的在平面化工艺中防止对准标记受损的方法，其特征在于，该第一介电层及该第三介电层分别包括氧化硅及氮氧化硅之其一。