[发明专利]基于体硅的电容及其制造方法无效
| 申请号： | 201010198435.3 | 申请日： | 2010-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN101908564A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 许丹 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于体硅的电容及其制造方法，所述电容置于体硅上，所述电容包括：第一电极结构，具有第一电极以及由所述第一电极延伸形成的若干彼此平行的第一延伸电极；第二电极结构，具有第二电极以及由所述第二电极延伸形成的若干彼此平行的第二延伸电极；所述第一延伸电极与所述第二延伸电极依次交互穿插。本发明的电容以体硅为衬底，使得所述电容与衬底之间不再含有导电的金属，并去除对应所述电容位置的背衬底，从而降低导电的金属连线或者金属层与电容耦合形成的杂散电容。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电容 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种基于体硅的电容，其特征在于：所述电容置于体硅上，所述电容包括：第一电极结构，具有第一电极以及由所述第一电极延伸形成的若干彼此平行的第一延伸电极；第二电极结构，具有第二电极以及由所述第二电极延伸形成的若干彼此平行的第二延伸电极；所述第一延伸电极与所述第二延伸电极依次交互穿插。
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