[发明专利]基于体硅的电容及其制造方法

权利要求书

1.一种基于体硅的电容，其特征在于：所述电容置于体硅上，所述电容包括：

第一电极结构，具有第一电极以及由所述第一电极延伸形成的若干彼此平行的第一延伸电极；

第二电极结构，具有第二电极以及由所述第二电极延伸形成的若干彼此平行的第二延伸电极；

所述第一延伸电极与所述第二延伸电极依次交互穿插。

2.如权利要求1所述的电容，其特征在于：所述第一延伸电极与所述第二延伸电极之间留有间隙。

3.如权利要求2所述的电容，其特征在于：所述第一延伸电极与所述第二延伸电极之间形成的各个间隙的宽度相等。

4.如权利要求1所述的电容，其特征在于：所述第一电极结构和所述第二电极结构的材质为铝或铜。

5.如权利要求1所述的电容，其特征在于：所述体硅包括：

背衬底；

在所述背衬底的表面上形成的绝缘层；

在所述绝缘层上形成的沟槽氧化物；

在所述沟槽氧化物上形成的多晶硅层；

在所述多晶硅上方形成的介质层。

6.如权利要求5所述的电容，其特征在于：所述背衬底为硅。

7.如权利要求5所述的电容，其特征在于：所述绝缘层为氧化层。

8.如权利要求7所述的电容，其特征在于：所述氧化层为二氧化硅。

9.如权利要求5所述的电容，其特征在于：所述多晶硅层为CoSi。

10.一种如权利要求1所述基于体硅的电容的制造方法，其特征在于，包括步骤：

在晶圆上形成背衬底；

在所述背衬底的表面上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成沟槽；

在所述沟槽内沉积形成沟槽氧化物；

在所述沟槽氧化物表面上形成多晶硅；

在所述多晶硅上方形成介质层；

在所述介质层上沉积金属层；

刻蚀部分金属层，使剩余部分金属层形成所述电容。