[发明专利]封装结构以及封装工艺有效
| 申请号： | 201010189571.6 | 申请日： | 2010-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN102263085A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 沈启智;陈仁川;张惠珊;张文雄 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/52;H01L23/48;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种封装结构以及封装工艺，采用柱状凸块来连接上层的第二芯片与下层的第一芯片的直通硅穿孔，因此可通过调整柱状凸块的高度来控制第一芯片与第二芯片之间的间距。换言之，此柱状凸块可以补偿第一芯片与周围的封装胶体之间的高度差，因此可以确保柱状凸块与凸出的直通硅穿孔有效接合，改善工艺良率。同时，通过柱状凸块可维持第二芯片与封装胶体之间的间距，使底胶可被顺利填入第一芯片与第二芯片之间。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 以及 工艺 | ||
【主权项】：
一种封装结构，包括：线路基板，具有相对的顶面与底面；第一芯片，配置于该线路基板的该顶面上，该第一芯片具有相对的顶面以及底面，该第一芯片的该底面面向该线路基板，且该第一芯片具有多个直通硅穿孔，每一直通硅穿孔的一端凸出该第一芯片的该顶面；多个第一凸块，配置于该第一芯片与该线路基板之间，并且电性连接该多个直通硅穿孔与该线路基板；第一封胶，全面覆盖该线路基板的该顶面，并且具有开口，暴露出该第一芯片的该顶面以及每一直通硅穿孔的该端；第二芯片，配置于该第一芯片上方，该第二芯片具有底面，该第二芯片的该底面面向该第一芯片；以及多个柱状凸块，配置于该第二芯片的该底面，以电性连接该第二芯片与对应的该多个直通硅穿孔。
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