[发明专利]半导体芯片的制备方法无效
| 申请号： | 201010180248.2 | 申请日： | 2010-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN101887843A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 市六信广;横田龙平 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 段晓玲;艾尼瓦尔 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了半导体芯片的制备方法。该方法防止了在处理该晶片的过程中对芯片保护膜的损伤，由此提高了生产收率、切割过程中的切割性质，并降低了该晶片的弯曲。该方法包括将保护膜形成片材结合到半导体晶片上以使得该保护膜与该半导体晶片的后表面接触，该保护膜形成片材包括在其一个表面上的具有可脱模性的基底膜和由热固性树脂组合物构成的半导体芯片保护膜，然后固化该保护膜，和然后从所得到的固化的保护膜上剥离该基底膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
半导体芯片的制备方法，该方法包括：将保护膜形成片材结合到半导体晶片上以使得该保护膜与该半导体晶片的后表面接触，该保护膜形成片材包括在一个表面上的具有可脱模性的基底膜和提供在具有可脱模性的基底膜的表面上的由热固性树脂组合物构成的半导体芯片保护膜，然后固化该保护膜，和然后从所得到的固化的保护膜上剥落该基底膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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