[发明专利]具有双反射层的铝镓铟磷系发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201010170936.0 | 申请日： | 2010-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN101859860A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 蔡家豪;林素慧;尹灵峰;郑建森;林科闯 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所 35101 | 代理人： | 徐东峰 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开的具有双反射层的铝镓铟磷系发光二极管及其制备方法，包括以下工艺步骤：提供一临时基板；形成于临时基板正面上的外延层；形成于外延层上的分布布拉格反射层；形成开口结构于分布布拉格反射层中，使分布布拉格反射层呈网格状分布并暴露出外延层顶面的一部分；形成金属层设于分布布拉格反射层与外延层的顶面暴露部分上，并填满上述开口结构；选择一永久基板与金属层粘合；去除临时基板；分别在外延层底面、永久基板顶面形成第一电极、第二电极；切割得铝镓铟磷系发光二极管；采用本发明制作兼具分布布拉格反射层和金属反射层的铝镓铟磷系发光二极管，可最大限度地发挥反射层的优异反射性，有效地提高铝镓铟磷系发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 反射层 铝镓铟磷系 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
具有双反射层的铝镓铟磷系发光二极管，其特征是：外延层形成于第一电极上，呈网格状分布的分布布拉格反射层形成在外延层上，反射金属层形成于分布布拉格反射层与外延层的顶面暴露部分上，永久基板形成于反射金属层上，第二电极形成于永久基板上。
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