[发明专利]半导体器件

摘要

在栅极电极形成于柱状半导体层周围的纵型晶体管中，难以形成具有较各个纵型晶体管的栅极长度还大的栅极长度的晶体管。有鉴于所述问题，本发明提供一种半导体器件，其特征为：在形成于衬底上的第一扩散层上邻接形成有由2个柱状半导体层所形成的纵型晶体管，这些纵型晶体管具备共通的栅极电极，而形成于第一柱状半导体层的上部的第一上部扩散层连接于源极电极，形成于第二柱状半导体层的上部的第二上部扩散层连接于漏极电极，通过2个纵型晶体管串联连接，作为具有各个纵型晶体管的2倍栅极长度的晶体管而发挥功能。

主权项

一种半导体器件，于衬底上形成有第一及第二MOS晶体管，其特征在于：所述第一及第二MOS晶体管各自为：源极扩散层、漏极扩散层及柱状半导体层对于衬底朝垂直方向呈阶层式配置，而所述柱状半导体层配置于所述源极扩散层与所述漏极扩散层之间，且于所述柱状半导体层的侧壁形成有栅极电极的纵型晶体管；所述第一及第二MOS晶体管具备共通的栅极电极，并且具备形成于衬底上的共通的第一平面状扩散层；在形成所述第一MOS晶体管的柱状半导体层上部所形成的第一扩散层为源极扩散层；在形成所述第二MOS晶体管的柱状半导体层上部所形成的第二扩散层为漏极扩散层；将所述第一MOS晶体管及所述第二MOS晶体管予以串联连接，使栅极电极整体长度成为各个MOS晶体管的栅极电极的2倍；所述第一MOS晶体管及所述第二MOS晶体管分别由多层柱状半导体层所构成，而分别属于第一及第二MOS晶体管的多层柱状半导体层配置成列状，而第一及第二MOS晶体管的列配置成彼此平行；所述第一MOS晶体管在形成第一MOS晶体管的多层柱状半导体层具备共通的第一栅极电极；所述第二MOS晶体管在形成第二MOS晶体管的多层柱状半导体层具备共通的第二栅极电极；第一栅极电极或第二栅极电极在第一及第二MOS晶体管各自的配置成所述列状的多层柱状半导体层的端部，经由接触件而连接于相同配线层。