[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，于衬底上形成有第一及第二MOS晶体管，其特征在于：

所述第一及第二MOS晶体管各自为：源极扩散层、漏极扩散层及柱状半导体层对于衬底朝垂直方向呈阶层式配置，而所述柱状半导体层配置于所述源极扩散层与所述漏极扩散层之间，且于所述柱状半导体层的侧壁形成有栅极电极的纵型晶体管；

所述第一及第二MOS晶体管具备共通的栅极电极，并且具备形成于衬底上的共通的第一平面状扩散层；

在形成所述第一MOS晶体管的柱状半导体层上部所形成的第一扩散层为源极扩散层；

在形成所述第二MOS晶体管的柱状半导体层上部所形成的第二扩散层为漏极扩散层；

将所述第一MOS晶体管及所述第二MOS晶体管予以串联连接，使栅极电极整体长度成为各个MOS晶体管的栅极电极的2倍；

所述第一MOS晶体管及所述第二MOS晶体管分别由多层柱状半导体层所构成，而分别属于第一及第二MOS晶体管的多层柱状半导体层配置成列状，而第一及第二MOS晶体管的列配置成彼此平行；

所述第一MOS晶体管在形成第一MOS晶体管的多层柱状半导体层具备共通的第一栅极电极；

所述第二MOS晶体管在形成第二MOS晶体管的多层柱状半导体层具备共通的第二栅极电极；

第一栅极电极或第二栅极电极在第一及第二MOS晶体管各自的配置成所述列状的多层柱状半导体层的端部，经由接触件而连接于相同配线层。

2.一种半导体器件，于衬底上形成有3个MOS晶体管，其特征在于：

所述3个MOS晶体管各自为：源极扩散层、漏极扩散层及柱状半导体层朝垂直方向呈阶层式配置在衬底上，而所述柱状半导体层配置于所述源极扩散层与所述漏极扩散层之间，且于所述柱状半导体层的侧壁形成有栅极电极的纵型晶体管；

所述3个MOS晶体管具备共通的栅极电极；

第一MOS晶体管与第二MOS晶体管具备形成于衬底上的共通的第一平面状扩散层；

第三MOS晶体管具备形成于衬底上的第二平面状扩散层；

在第二MOS晶体管及第三MOS晶体管的上部所形成的第二扩散层及第三扩散层通过接触件及配线层而彼此连接；

在形成第一MOS晶体管的柱状半导体层上部所形成的第一扩散层为源极扩散层；

形成有第三MOS晶体管的第二平面状扩散层为漏极扩散层；

第一MOS晶体管、第二MOS晶体管及第三MOS晶体管串联连接，藉以作为栅极电极的长度具有各个MOS晶体管的3倍长度的MOS晶体管而动作；

所述第一MOS晶体管、第二MOS晶体管及第三MOS晶体管分别由多层柱状半导体层所构成，而分别属于第一、第二及第三MOS晶体管的多层柱状半导体层配置成列状，而第一、第二、第三MOS晶体管各自的列配置成彼此平行；

所述第一MOS晶体管在形成第一MOS晶体管的多层柱状半导体层具备共通的第一栅极电极；

所述第二MOS晶体管在形成第二MOS晶体管的多层柱状半导体层具备共通的第二栅极电极；

所述第三MOS晶体管在形成第三MOS晶体管的多层柱状半导体层具备共通的第三栅极电极；

第一栅极电极、第二栅极电极及第三栅极电极在第一、第二、第三MOS晶体管各自的配置成所述列状的多层柱状半导体层的端部，经由接触件而连接于相同配线层。