[发明专利]传感器及其制造方法

摘要

本发明利用深宽比捕获材料将以非硅为主体的半导体元件整合于硅工艺中。位于至少一部分结晶材料中的非硅光感测元件可输出于非硅光感测元件中通过光吸收所产生的电子。本发明光感测元件可具有相对大的微米尺寸。在一实施例中，通过结合一深宽比捕获技术，于一硅基板上，形成互补式金属氧化物半导体光检测器。

主权项

一种传感器，包括：一基板，具有一第一外延结晶结构与一第二外延结晶结构，该第一外延结晶结构与该第二外延结晶结构的分界位于一接合部；一感测区，形成于该接合部上或于该接合部中，以输出电子，该电子是于该感测区中通过光吸收所产生；以及多个接触端，耦接至该感测区，以接收该电子，获得一输出电子信号。