[发明专利]一种半导体全光偏振开关无效
| 申请号： | 201010135631.6 | 申请日： | 2010-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101788726A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 王涛;胡志强;肖昆辉;郁春潮 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G02F1/017 | 分类号： | G02F1/017;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 周发军 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体全光偏振开关，用于解决现有光有源器件在下一代高速全光通信网的光分叉复用系统和光交叉互连系统中响应速度不足问题。本发明包括位于底座平台上的多量子阱层布拉格结构半导体光学元件、信号光光纤准直器、起偏器和检偏器。多量子阱层布拉格结构半导体光学元件是由衬底上外延生长的N个布拉格结构复合层构成的，每个复合层是由量子阱层和垒层组成，在多量子阱层一侧加有全反射膜。本发明的半导体全光偏振开关的响应波长在光通讯波段范围，并可以根据不同条件和要求制作对应的波长全光控制开关，实现超快开关动作，可应用于下一代高速全光通信网，直接在光层实现巨大流量信号的传输与路由。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 偏振 开关 | ||
【主权项】：
一种半导体全光偏振开关，包括位于底座平台上的核心半导体光学元件、信号光光纤准直器、起偏器和检偏器；其特征在于，所述的核心半导体光学元件为多量子阱层半导体光学元件，所述多量子阱层光学元件包括衬底上外延生长的量子阱层和垒层，所述量子阱层和垒层相互连续排列，相邻的单个量子阱层和垒层的厚度之和为一个布拉格周期。
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