[发明专利]一种半导体全光偏振开关

权利要求书

1.一种半导体全光偏振开关，包括位于底座平台上的核心半导体 光学元件、信号光光纤准直器、起偏器和检偏器，其特征在于，所述的 核心半导体光学元件为多量子阱层半导体光学元件，所述多量子阱层半 导体光学元件包括衬底上外延生长的量子阱层和垒层，所述量子阱层和 垒层相互连续排列，相邻的单个量子阱层和垒层的厚度之和为一个布拉 格周期，所述相邻的单个量子阱层和垒层的厚度之和的布拉格周期满足 修正的布拉格条件，即满足公式(1)：

nbdbcosθb+1+ρ1-ρnwdwcosθw=λ0/2---(1)]]>

其中，为菲涅尔系数，n_b为多量子阱层半导体光学元件垒层 的折射率，d_b为垒层的厚度，θ_b为光进入垒层的入射角，n_w为阱层的折 射率，d_w为阱层厚度，θ_w为光进入阱层的入射角，λ₀为量子阱层材料 重空穴激子波长；

所述衬底的材料为磷化铟（InP），所述垒层为磷化铟（InP），所述 阱层由铟镓砷磷（InGaAsP）四元化合物生长构成。

2.如权利要求1所述的一种半导体全光偏振开关，其特征在于，所 述信号光光纤准直器和所述起偏器依次位于信号光路上，入射的信号光 以一定夹角入射至所述的核心半导体光学元件表面；所述检偏器位于所 述多量子阱层半导体光学元件对于信号光产生的反射光路上，且检偏器 偏振方向与起偏器偏振方向平行；控制光路与多量子阱层半导体光学元 件输入面垂直。

3.如权利要求1或2所述的一种半导体全光偏振开关，其特征在于， 所述多量子阱层半导体光学元件的非入射光的一侧加有全反射膜。