[发明专利]具有场效应管的集成电路和制造方法有效
| 申请号： | 201010134983.X | 申请日： | 2010-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101840916A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 托尔斯滕·迈尔;斯特凡·德克尔;诺贝特·克里施克;克里斯托夫·卡多 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/78;H01L29/36;H01L21/77;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;李慧 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了具有场效应管的集成电路和制造方法。一实施例提供了包括第一FET和第二FET的集成电路。将第一FET的源极、漏极、栅极中的至少一个电连接至第二FET的源极、漏极、栅极中的对应的一个。将第一FET的源极、漏极、栅极中的另外的至少一个和第二FET的源极、漏极、栅极中的对应的另外一个分别连接至电路元件。第一FET和第二FET中的每个FET的主体的沿着沟道的掺杂浓度在沟道内的峰值位置处具有峰值。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 场效应 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：第一FET和第二FET，其中，所述第一FET的源极、漏极、栅极中的至少一个电连接至所述第二FET的源极、漏极、栅极中的对应的一个，所述第一FET的源极、漏极、栅极中的另外的至少一个和所述第二FET的源极、漏极、栅极中的对应的另外一个分别连接至电路元件；以及所述第一FET和所述第二FET中的每个FET的主体的沿着沟道的掺杂浓度在所述沟道内的峰值位置处具有峰值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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