[发明专利]具有场效应管的集成电路和制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种具有场效应管的集成电路和制造方法。

背景技术

诸如半导体电源开关的各种半导体应用包括用于诊断功能和保护功能的电路部件。这种电路部件可以包括彼此电连接的场效应管(FET)。例如，可以将这些FET之一用于感测这些FET中的另外一个FET的电特征。

存在对于具有匹配的阈值电压的FET的集成电路的需要。

对于这些和其他原因，存在对于本发明的需要。

发明内容

一种集成电路，包括：第一FET和第二FET，其中，所述第一FET的源极、漏极、栅极中的至少一个电连接至所述第二FET的源极、漏极、栅极中的对应的一个，所述第一FET的源极、漏极、栅极中的另外的至少一个和所述第二FET的源极、漏极、栅极中的对应的另外一个分别连接至电路元件；以及所述第一FET和所述第二FET中的每个的主体的沿着沟道的掺杂浓度在所述沟道内的峰值位置处具有峰值。

附图说明

包括附图以提供对实施例的进一步理解，并且将附图结合进来构成本说明书的一部分。附图示出了实施例并且与描述一起用来解释实施例的原理。参照以下详细描述将更好地理解一些其他实施例以及实施例的多个预期优点，所以这些其他实施例以及实施例的多个预期优点将更容易理解。附图的元件没有必要相对于彼此成比例。类似的附图标记表示相应的类似部件。

图1示出了根据一实施例的包括第一FET、第二FET以及彼此相互连接的电路元件的集成电路的简化示意图。

图2示出了包括沟槽FET的沟道区域的半导体基板的示意性截面图。

图3为根据一实施例的集成电路的第一沟槽FET和第二沟槽FET的每个的主体的沿着沟道的掺杂浓度的示意图。

图4为根据一实施例的集成电路的第一沟槽FET和第二沟槽FET的每个的主体的沿着沟道的掺杂浓度的示意图。

图5A为根据一实施例的集成电路的第一沟槽FET和第二沟槽FET的每个的主体的沿着沟道的掺杂浓度的示意图。

图5B为根据一实施例的集成电路的第一沟槽FET和第二沟槽FET的每个的主体的沿着沟道的掺杂浓度的示意图。

图6为根据一实施例的集成电路的第一沟槽FET和第二沟槽FET的每个的主体的沿着沟道的掺杂浓度的示意图。

图7A和7B示出了在根据一实施例的集成电路的第一横向FET和第二横向FET的制造期间的半导体基板的示意性截面图。

图8A和8B示出了在根据一实施例的集成电路的第一横向FET和第二横向FET的制造期间的半导体基板的示意性截面图。

图9为根据一实施例的包括第一FET、第二FET以及电路元件的集成电路的示意图的图解。

图10示出了根据一实施例的用于制造集成电路的方法的简化流程图。

具体实施方式

在以下详细描述中，将对附图进行参照，附图形成了该描述的一部分，其中以示例性的方式示出了可以实施本发明的特定实施例。在这点上，参照被描述的附图的方向来使用诸如“顶部”、“底部”、“前”、“后”、“首位的”、“后面的”等的方向术语。因为可以在多个不同的方向上定位实施例的组成部分，所以使用方向术语的目的在于为了进行说明，而绝不是为了限定。应该理解，在不偏离本发明范围的前提下，可以利用其他实施例并且可以进行结构或者逻辑的改变。因此，以下详细描述不应理解为具有限制意义，并且本发明的范围由权利要求来定义。

除非特别注明，否则应该理解，文中所述的各种典型实施例的特征可以彼此结合。

一实施例提供了包括第一FET和第二FET的集成电路，其中，将第一FET的源极、漏极、栅极中的至少一个电连接至第二FET的源极、漏极、栅极中的对应的一个，并且其中，将第一FET的源极、漏极、栅极中的另外的至少一个和第二FET的源极、漏极、栅极中的对应的另外一个分别连接至电路元件。集成电路的第一FET和第二FET的每个FET的主体沿着沟道的掺杂浓度在沟道内的峰值位置处具有峰值。

一实施例提供了制造集成电路的方法。形成第一FET和第二FET，其中，将第一FET的源极、漏极、栅极中的至少一个电连接至第二FET的源极、漏极、栅极中的对应的一个，并且其中，将第一FET的源极、漏极、栅极中的另外的至少一个和第二FET的源极、漏极、栅极中的对应的另外一个分别连接至电路元件。根据一方法的第一FET和第二FET的形成进一步包括：形成第一FET和第二FET的每个的主体，其沿着相应的FET的沟道具有掺杂浓度，该掺杂浓度在沟道内的峰值位置处具有峰值。