[发明专利]一种降低高介电陶瓷材料烧结温度的方法无效
| 申请号： | 201010126659.3 | 申请日： | 2010-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101805176A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 熊兆贤;曹泽亮;喻荣;薛昊;洪礼清 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C04B35/462 | 分类号： | C04B35/462;C04B35/64 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种降低高介电陶瓷材料烧结温度的方法，涉及一种电子陶瓷材料。提供一种降低高介电陶瓷材料烧结温度的方法。制备纳米级的CaCu3Ti4O12粉体；将纳米级的CaCu3Ti4O12粉体干压成坯体；对坯体进行烧结处理，得高介电陶瓷材料。具有以下优点：原料被分散到溶剂中形成低粘度的溶液，在很短的时间内获得分子水平的均匀性，溶胶一凝胶体系中组分的扩散在纳米范围内，与固相反应相比，化学反应不仅容易进行，而且仅需要较低的合成温度。由所制备的粉体粒径小、粒度分布窄，化学活性好，仅在烧结时才出现团聚，能有效地降低烧结温度。同时有效地结合两步烧结法，使陶瓷的致密度得到提高，从而提高了陶瓷体的介电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 高介电 陶瓷材料 烧结 温度 方法 | ||
【主权项】：
一种降低高介电陶瓷材料烧结温度的方法，其特征在于包括以下步骤：1)制备纳米级的CaCu3Ti4O12粉体；2)将纳米级的CaCu3Ti4O12粉体干压成坯体；3)对坯体进行烧结处理，得高介电陶瓷材料。
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