[发明专利]一种降低高介电陶瓷材料烧结温度的方法无效
申请号: | 201010126659.3 | 申请日: | 2010-03-12 |
公开(公告)号: | CN101805176A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
发明(设计)人: | 熊兆贤;曹泽亮;喻荣;薛昊;洪礼清 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | C04B35/462 | 分类号: | C04B35/462;C04B35/64 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361005 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 降低 高介电 陶瓷材料 烧结 温度 方法 | ||
1.一种降低高介电陶瓷材料烧结温度的方法,其特征在于包括以下步骤:
1)制备纳米级的CaCu3Ti4O12粉体;
2)将纳米级的CaCu3Ti4O12粉体干压成坯体;
3)对坯体进行烧结处理,得高介电陶瓷材料。
2.如权利要求1所述的一种降低高介电陶瓷材料烧结温度的方法,其特征在于在步骤1)中,所述制备纳米级的CaCu3Ti4O12粉体采用溶胶凝胶法。
3.如权利要求2所述的一种降低高介电陶瓷材料烧结温度的方法,其特征在于所述采用溶胶凝胶法的具体步骤为:首先将钛酸丁酯和乙酰丙酮用磁力搅拌器搅拌,然后加入柠檬酸水溶液,搅拌,最后加入硝酸钙和硝酸铜水溶液并同时滴入氨水搅拌,将配好的溶液烘干水分使其成凝胶状,然后在马弗炉中450℃下热处理,最后在950℃预烧。
4.如权利要求1所述的一种降低高介电陶瓷材料烧结温度的方法,其特征在于在步骤2)中,所述坯体为圆片坯体。
5.如权利要求4所述的一种降低高介电陶瓷材料烧结温度的方法,其特征在于所述圆片坯体的直径为13mm,厚度为1.5mm。
6.如权利要求1所述的一种降低高介电陶瓷材料烧结温度的方法,其特征在于在步骤3)中,所述烧结处理采用两步烧结法。
7.如权利要求6所述的一种降低高介电陶瓷材料烧结温度的方法,其特征在于所述采用两步烧结法的具体步骤为:第1步烧结的温度T1为1100℃,第2步烧结的温度T2为960~1060℃,保温时间为5h。
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