[发明专利]一种闪存无效

专利信息
申请号: 201010123688.4 申请日: 2010-03-12
公开(公告)号: CN101800225A 公开(公告)日: 2010-08-11
发明(设计)人: 张博 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;H01L29/49
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 201203 上海*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种闪存,包括:衬底和衬底内的第一漏极区、源极区和第二漏极区,源极区位于第一漏极区和第二漏极区之间;引出的第一漏极、源极和第二漏极;控制栅位于第一漏极区和第二漏极区之间;浮栅,位于所述所述源极区之上,所述浮栅包括第一浮栅和第二浮栅,所述第一浮栅和所述第二浮栅之间用所述控制栅隔离;第一选择栅,位于第一漏极和源极之间;第二选择栅,位于源极和第二漏极之间。本发明提供的闪存结构设计巧妙,能够有效的减少闪存的尺寸,从而提高衬底单位面积上的使用效率。
搜索关键词: 一种 闪存
【主权项】:
一种闪存,其特征在于包括:衬底和形成于所述衬底内的第一漏极区、源极区和第二漏极区,所述源极区位于所述第一漏极区和所述第二漏极区之间;分别从所述第一漏极区、所述源极区和所述第二漏极区引出的第一漏极、源极和第二漏极;控制栅,位于所述第一漏极区和所述第二漏极区之间;浮栅,位于所述源极区之上,所述浮栅包括第一浮栅和第二浮栅,所述第一浮栅和所述第二浮栅之间用所述控制栅隔离;第一选择栅,位于所述第一漏极和所述源极之间;第二选择栅,位于所述源极和所述第二漏极之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司,未经上海宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010123688.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top