[发明专利]一种闪存

权利要求书

1.一种闪存，其特征在于包括：

衬底和形成于所述衬底内的第一漏极区、源极区和第二漏极区，所述源极区位于所述第一漏极区和所述第二漏极区之间；

分别从所述第一漏极区、所述源极区和所述第二漏极区引出的第一漏极、源极和第二漏极；

控制栅，位于所述第一漏极区和所述第二漏极区之间；

浮栅，位于所述源极区之上，所述浮栅包括第一浮栅和第二浮栅，所述第一浮栅和所述第二浮栅之间用所述控制栅隔离；

第一选择栅，位于所述第一漏极和所述源极之间；

第二选择栅，位于所述源极和所述第二漏极之间。

2.根据权利要求1所述的一种闪存，其特征在于：所述浮栅的材料为纳米硅。

3.根据权利要求1所述的一种闪存，其特征在于：所述源极通过金属引线分别和所述第一漏极、所述第二漏极相连接。

4.根据权利要求1所述的一种闪存，其特征在于：所述闪存还包括填充氧化物，所述填充氧化物覆盖于所述第一漏极、所述源极、所述第二漏极、所述控制栅、所述浮栅、所述第一选择栅和所述第二选择栅之上。

5.根据权利要求1所述的一种闪存，其特征在于：在对所述闪存进行写入操作时，所述第一选择栅和所述第二选择栅上施加的电压的范围均是0V至20V，所述控制栅上施加的电压的范围是4V至20V，所述源极上施加的电压的范围是2至20V，所述第一漏极和所述第二漏极上施加的电压的范围均是0V至19V。

6.根据权利要求1所述的一种闪存，其特征在于：在对所述闪存进行清零操作时，所述第一选择栅和所述第二选择栅上电压悬空，所述控制栅上施加的电压的范围是4V至20V，所述源极上施加的电压的范围是0至10V，所述第一漏极和所述第二漏极上施加的电压的范围均是0V至10V。

7.根据权利要求1所述的一种闪存，其特征在于：在对所述闪存进行读入操作时，所述第一选择栅和所述第二选择栅上施加的电压的范围是1V至10V，所述控制栅上施加的电压的范围是1V至10V，所述源极上施加的电压的范围是0至10V，所述第一漏极和所述第二漏极上施加的电压的范围均是0V至10V。