[发明专利]一种闪存

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体存储器件，且特别涉及一种闪存。

背景技术

闪存以其便捷，存储密度高，可靠性好等优点成为非挥发性存储器中研究的热点。从二十世纪八十年代第一个闪存产品问世以来，随着技术的发展和各类电子产品对存储的需求，闪存被广泛用于手机，笔记本，掌上电脑和U盘等移动和通讯设备中，闪存为一种非易变性存储器，其运作原理是通过改变晶体管或存储单元的临界电压来控制门极通道的开关以达到存储数据的目的，使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消失，而闪存为电可擦除且可编程的只读存储器的一种特殊结构。

如今闪存已经占据了非挥发性半导体存储器的大部分市场份额，成为发展最快的非挥发性半导体存储器，然而现有的闪存在迈向更高存储密度的时候，通过缩小器件尺寸来提高存储密度将会面临很大的挑战。

浮栅在向65nm以下缩小时，由于浮栅周围绝缘层尺寸缩小会遇到多晶硅材料浮栅内电子容易流失的问题，只要多晶硅某一处漏电，整个多晶硅材料的浮栅内电子就会全部流失，另外，现有技术中闪存的结构设计也不利于闪存器件尺寸的缩小，因此，选用新的材料来制作闪存的栅极以及优化闪存的结构越来越受到厂家和研发人员的重视。

发明内容

为了克服现有技术中通过缩小器件尺寸来提高存储密度遇到的问题，本发明提供了一种体积小、存储容量大的闪存。

为了实现上述目的，本发明提出一种闪存，包括：衬底和形成于所述衬底内的第一漏极区、源极区和第二漏极区，所述源极区位于所述第一漏极区和所述第二漏极区之间；分别从所述第一漏极区、所述源极区和所述第二漏极区引出的第一漏极、源极和第二漏极；控制栅，位于所述第一漏极区和所述第二漏极区之间；浮栅，位于所述所述源极区之上，所述浮栅包括第一浮栅和第二浮栅，所述第一浮栅和所述第二浮栅之间用所述控制栅隔离；第一选择栅，位于所述第一漏极和所述源极之间；第二选择栅，位于所述源极和所述第二漏极之间。

可选的，所述浮栅的材料为纳米硅。

可选的，所述源极通过金属引线分别和所述第一漏极、所述第二漏极相连接。

可选的，所述闪存还包括填充氧化物，所述填充氧化物覆盖于所述第一漏极、所述源极、所述第二漏极、所述控制栅、所述浮栅、所述第一选择栅和所述第二选择栅之上。

可选的，在对所述闪存进行写入操作时，所述第一选择栅和所述第二选择栅上施加的电压的范围均是0V至20V，所述控制栅上施加的电压的范围是4V至20V，所述源极上施加的电压的范围是2至20V，所述第一漏极和所述第二漏极上施加的电压的范围均是0V至19V。

可选的，在对所述闪存进行清零操作时，所述第一选择栅和所述第二选择栅上电压悬空，所述控制栅上施加的电压的范围是4V至20V，所述源极上施加的电压的范围是0至10V，所述第一漏极和所述第二漏极上施加的电压的范围均是0V至10V。

可选的，在对所述闪存进行读入操作时，所述第一选择栅和所述第二选择栅上施加的电压的范围是1V至10V，所述控制栅上施加的电压的范围是1V至10V，所述源极上施加的电压的范围是0至10V，所述第一漏极和所述第二漏极上施加的电压的范围均是0V至10V。

由于采用了上述技术方案，与现有技术相比，本发明一种闪存具有以下优点：本发明提供的闪存结构中两个漏极共用一个源极，与通用的CMOS工艺兼容，能够在不改变工艺制程技术的情况下通过改变闪存的内部结构，减小闪存的体积；闪存的浮栅采用纳米硅，相比于多晶硅材料，增加了闪存的尺寸缩小能力，另外，由多个相互绝缘的纳米硅制成的浮栅不会因为某一处漏电而导致浮栅内电子全部流失，从而提高了制成的器件的稳定性。

附图说明

图1为本发明一种闪存的结构示意图；

图2为本发明一种闪存所在版面设计的结构示意图。

具体实施方式

下面，结合附图对本发明做进一步的说明。