[发明专利]一种增强高MEEF图形的OPC精度的方法有效
申请号: | 201010123638.6 | 申请日: | 2010-03-12 |
公开(公告)号: | CN102193305A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 张婉娟 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 20120*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种增强高MEEF图形OPC精度的方法,该方法通过采取与MEEF相关的中间栅格作为OPC的移动步长以增加OPC修正精度,再将中间栅格转换成满足掩膜版制造精度的输出栅格,并以输出栅格为移动步长输出最终OPC修正完的图形,以使得高MEEF图形在显影后测量(After DevelopmentInspection:ADI)的尺寸离目标尺寸的误差小于OPC边缘定位误差(EdgePlacement Error:EPE)可接受的容忍度,从而使高MEEF图形的OPC精度得到提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 增强 meef 图形 opc 精度 方法 | ||
【主权项】:
一种增强高MEEF图形的OPC精度的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:以原始栅格为移动步长输入原始数据版图;根据最大MEEF值将移动步长由原始栅格转换成中间栅格;以中间栅格作为移动步长进行光学邻近修正(OPC);以中间栅格为移动步长输出过渡的OPC数据版图;将中间栅格转换为满足掩膜版制造精度的输出栅格;以输出栅格为移动步长输出最终的OPC后的数据版图。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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