[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201010116559.2 | 申请日： | 2010-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101800250A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 及川欣聪;丸山穗高;乡户宏充;河江大辅;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24;H01L27/12;H01L21/34;H01L21/84;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 发明的目的在于提供一种备有使用氧化物半导体层且电特性优良的薄膜晶体管的半导体装置。将含有SiOX的In-Sn-O类氧化物半导体层用作沟道形成区，并且为了降低其与由电阻值低的金属材料构成的布线层的接触电阻，在源电极层以及漏电极层与上述含有SiOX的In-Sn-O类氧化物半导体层之间设置源区或漏区。源区或漏区以及像素区使用同一层的不含有SiOX的In-Sn-O类氧化物半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：栅电极层；栅极绝缘层；含有In、Sn以及SiOX的第一氧化物半导体层；接触于所述第一氧化物半导体层的源区及漏区；以及像素电极，其中所述源区或所述漏区以及所述像素电极由含有In、Sn以及O的第二氧化物半导体层形成。
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