[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201010116559.2 | 申请日： | 2010-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101800250A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 及川欣聪;丸山穗高;乡户宏充;河江大辅;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24;H01L27/12;H01L21/34;H01L21/84;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，包括：
栅电极层；
栅极绝缘层；
含有In、Sn以及SiOX的第一氧化物半导体层；
接触于所述第一氧化物半导体层的源区及漏区；
像素电极；
在所述源区和所述漏区中的一个之上并与所述源区和所述漏区中 的所述一个相接触的电极层；以及
在所述第一氧化物半导体层、所述源区、所述漏区和所述电极层 上的绝缘膜，
其中所述电极层包括金属材料，
其中含有In、Sn、O以及N的第二氧化物半导体层具有所述源区 和所述漏区中的另一个以及所述像素电极的功能，
其中所述源区和所述漏区中的所述一个是含有In、Sn、O以及N 的氧化物半导体层，
其中为所述源区和所述漏区中的所述一个的所述氧化物半导体层 的顶表面由所述电极层覆盖且不与所述绝缘膜接触，
其中所述第二氧化物半导体层的顶表面与所述绝缘膜相接触，且
其中所述第二氧化物半导体层不包括SiOX。
2.一种半导体装置，包括：
具有绝缘表面的衬底上的栅电极层；
所述栅电极层上的栅极绝缘层；
所述栅极绝缘层上的含有In、Sn以及SiOX的第一氧化物半导体层；
接触于所述第一氧化物半导体层的源区及漏区；
像素电极；
在所述源区和所述漏区中的一个之上并与所述源区和所述漏区中 的所述一个相接触的电极层；以及
覆盖所述第一氧化物半导体层、所述源区、所述漏区和所述电极 层的绝缘膜，
其中所述电极层包括金属材料，
其中含有In、Sn、O以及N的第二氧化物半导体层具有所述源区 和所述漏区中的另一个以及所述像素电极的功能，
其中所述源区和所述漏区中的所述一个是含有In、Sn、O以及N 的氧化物半导体层，
其中为所述源区和所述漏区中的所述一个的所述氧化物半导体层 的顶表面由所述电极层覆盖且不与所述绝缘膜接触，
其中所述第二氧化物半导体层的顶表面与所述绝缘膜相接触，且
其中所述第二氧化物半导体层不包括SiOX。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第一氧化物半 导体层的导电率为1.6×10-3S/cm以下。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第一氧化物半 导体层为非晶。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第一氧化物半 导体层利用使用含有5wt％以上且50wt％以下的SiO2的含有In、Sn、 Si以及O的氧化物半导体靶的溅射法形成。
6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，还包括夹在所述像素电 极与对置电极之间的液晶层。
7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，还包括设置在配置在所 述像素电极中的阳极上的发光层，以及设置在所述发光层上的阴极。
8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，还包括设置在配置在所 述像素电极中的阴极上的发光层，以及设置在所述发光层上的阳极。
9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中在所述第一氧化物 半导体层中设置有沟道区。
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