[发明专利]半导体存储装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201010106245.4 | 申请日： | 2010-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101794861A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 高桥新吾 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体存储装置及其制造方法，该半导体存储装置包括：第一电极，通过埋设在基板上形成的绝缘膜中而形成；第二电极，形成为与该第一电极相对；存储层，形成在该第一电极和该第二电极之间，该存储层设在第一电极侧；离子源层，形成在该存储层和该第二电极之间；以及扩散防止层，由该绝缘膜和该第一电极之间的氧化锰层形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，包括：第一电极，通过埋设在形成于基板上的绝缘膜中而形成；第二电极，形成为与该第一电极相对；存储层，形成在该第一电极和该第二电极之间，该存储层设在该第一电极侧；离子源层，形成在该存储层和该第二电极之间；以及扩散防止层，由该绝缘膜和该第一电极之间的氧化锰层形成。
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