[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

第一电极，通过埋设在形成于基板上的绝缘膜中而形成；

第二电极，形成为与该第一电极相对；

存储层，形成在该第一电极和该第二电极之间，该存储层设在该第一电极侧；

离子源层，形成在该存储层和该第二电极之间；以及

扩散防止层，由该绝缘膜和该第一电极之间的氧化锰层形成。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

其中由该氧化锰层形成的该扩散防止层连续地形成在该第一电极和该存储层之间的界面中。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

其中该存储层由金属氧化物膜形成。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

其中该存储层形成在该第一电极和该离子源层之间的界面中，并且由与该扩散防止层连续的氧化锰层形成。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

其中该扩散防止层由钨层、氮化钨层、锆层、氮化锆层、铪层、氮化铪层、钌层和氮化钌层之一形成，而取代该氧化锰层。

6.一种半导体存储装置，包括：

第一电极，通过埋设在形成于基板上的绝缘膜中而形成；

第二电极，形成为与该第一电极相对；

存储层，由该第一电极和该第二电极之间的氧化锰层形成，该存储层设在该第一电极侧；

离子源层，形成在该存储层和该第二电极之间；以及

扩散防止层，由钨层、氮化钨层、钌层和氮化钌层中的至少一种形成，该扩散防止层形成在该绝缘膜和该第一电极之间，并且与该存储层连接。

7.一种制造半导体存储装置的方法，包括：

在基板上形成的绝缘膜中形成开口部分；

在该开口部分的内表面上形成种子层，该种子层由铜锰合金层形成；

隔着该种子层在该开口部分中埋设铜膜，并且在该绝缘膜上形成该铜膜；

通过热处理，在该种子层的该绝缘膜侧的表面中形成氧化锰层；

通过去除该绝缘膜上多余的该铜膜和形成在该铜膜上的该氧化锰层，隔着扩散防止层在该开口部分中形成第一电极，该第一电极由该铜膜形成，该扩散防止层由该氧化锰层形成；

在该第一电极和该绝缘层上形成存储层；

在该存储层上形成离子源层；以及

在该离子源层上形成第二电极。

8.一种制造半导体存储装置的方法，包括：

在基板上形成的绝缘膜中形成开口部分；

在该开口部分的内表面上形成种子层，该种子层由铜锰合金层形成；

隔着该种子层在该开口部分中埋设铜膜，并且在该绝缘膜上形成该铜膜；

通过热处理，在该种子层的该绝缘膜侧的表面中形成氧化锰层；

通过去除该绝缘膜上多余的该铜膜和形成在该铜膜上的该氧化锰层，隔着扩散防止层在该开口部分中形成第一电极，该第一电极由该铜膜形成，该扩散防止层由该氧化锰层形成；

通过热处理在该第一电极的表面上形成氧化锰层；

在该绝缘层上以及隔着形成于该第一电极的表面上的该氧化锰层在该第一电极上形成存储层；

在该存储层上形成离子源层；以及

在该离子源层上形成第二电极。

9.一种制造半导体存储装置的方法，包括：

在基板上形成的绝缘膜中形成开口部分；

在该开口部分的内表面上形成种子层，该种子层由铜锰合金层形成；

隔着该种子层在该开口部分中埋设铜膜，并且在该绝缘膜上形成该铜膜；

通过热处理，在该种子层的该绝缘膜侧的表面中形成氧化锰层；

通过去除该绝缘膜上多余的该铜膜和形成在该铜膜上的该氧化锰层，隔着扩散防止层在该开口部分中形成第一电极，该第一电极由该铜膜形成，该扩散防止层由该氧化锰层形成；

通过热处理在该第一电极的表面上形成存储层，该存储层由氧化锰层形成；

在该存储层上形成离子源层；以及

在该离子源层上形成第二电极。

10.一种制造半导体存储装置的方法，包括：

在基板上形成的绝缘膜中形成开口部分；

在该开口部分的内表面上形成扩散防止层，该扩散层由钨层、氮化钨层、锆层、氮化锆层、铪层、氮化铪层、钌层和氮化钌层中的至少一种形成；

隔着该扩散防止层在该开口部分的内表面上形成种子层，该种子层由铜锰合金层形成；

隔着该种子层在该开口部分中埋设铜膜，并且在该绝缘膜上形成该铜膜；

通过去除该绝缘膜上多余的该铜膜、该种子层和该扩散防止层，隔着该扩散防止层在该开口部分中形成第一电极，该第一电极由该种子层和该铜膜形成；

通过热处理在该第一电极的表面上形成存储层，该存储层由氧化锰层形成，该氧化锰层与该扩散防止层连接；

在该绝缘膜上和该存储层上形成离子源层；以及

在该离子源层上形成第二电极。