[发明专利]电荷俘获非挥发半导体存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201010103437.X | 申请日： | 2010-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101800251A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 吴东平;张世理 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电荷俘获非挥发半导体存储器及其制造方法。所述电荷俘获非挥发半导体存储器包括一半导体衬底、一源极区域、一漏极区域、依次形成在所述半导体衬底上的一隧道绝缘层、一电荷俘获层、一阻挡绝缘层和一栅电极。所述漏极区域包括P-N结，所述源极区域包括金属钛、钴、镍、铂中任意一种或者其混合物与半导体衬底形成的金属半导体结。本发明电荷俘获非挥发半导体存储器的编程电压低、编程速度快、功耗较低、可靠性较高。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 俘获 挥发 半导体 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电荷俘获非挥发半导体存储器，其包括一半导体衬底、一源极区域、一漏极区域、依次形成在所述半导体衬底上的一隧道绝缘层、一电荷俘获层、一阻挡绝缘层和一栅电极，所述漏极区域包括P-N结，其特征在于：所述源极区域包括金属钛、钴、镍、铂中任意一种或者其混合物与半导体衬底形成的金属半导体结。
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