[发明专利]亚分辨率辅助图形的设置以及光刻掩膜版的制作方法有效
| 申请号: | 201010022716.3 | 申请日: | 2010-01-12 |
| 公开(公告)号: | CN102129166B | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
| 发明(设计)人: | 杨青 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李丽 |
| 地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明提供了亚分辨率辅助图形的设置以及光刻掩膜版的制作方法,其中亚分辨率辅助图形的设置方法包括:提供已布局的曝光图形,所述曝光图形包括关键图形以及次要图形;在所述曝光图形的间隙处设置亚分辨率辅助图形;在不影响所述关键图形的曝光分辨率的条件下,所述亚分辨率辅助图形与其邻近的关键图形的间距最小化。整体上提高关键图形的聚焦深度,进而扩大工艺窗口,改善小尺寸光刻的光学邻近校正中禁止光学空间周期所带来的问题。 | ||
| 搜索关键词: | 分辨率 辅助 图形 设置 以及 光刻 掩膜版 制作方法 | ||
【主权项】:
一种亚分辨率辅助图形的设置方法,其特征在于,包括:提供已布局的曝光图形,所述曝光图形包括关键图形以及次要图形;在所述曝光图形的间隙处设置亚分辨率辅助图形:所述亚分辨率辅助图形设置于关键图形与次要图形的间隙处时,所述亚分辨率辅助图形偏离间隙中心线而靠近关键图形;所述亚分辨率辅助图形设置于相邻关键图形的间隙处时,所述亚分辨率辅助图形偏离间隙中心线而靠近任意一侧关键图形;在不降低所述关键图形的曝光分辨率的条件下,所述亚分辨率辅助图形与其邻近的关键图形的间距最小化。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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