[发明专利]固态图像传感器及其制造方法和图像拾取装置无效
申请号: | 201010003769.0 | 申请日: | 2010-01-18 |
公开(公告)号: | CN101819980A | 公开(公告)日: | 2010-09-01 |
发明(设计)人: | 大石哲也 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L29/78;H01L29/423;H01L21/82;H01L21/336;H01L21/28 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 周少杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 公开了一种固态图像传感器,包括光电转换器、电荷检测器和转移晶体管。光电转换器存储经历光电转换的信号电荷。电荷检测器检测所述信号电荷。转移晶体管将所述信号电荷从所述光电转换器转移到所述电荷检测器。在所述固态图像传感器中,所述转移晶体管包括栅极绝缘膜、在所述栅极绝缘膜上形成的栅极电极、在所述光电转换器侧的所述栅极电极的侧壁上形成的第一隔离层、以及在所述电荷检测器侧的所述栅极电极的另一侧壁上形成的第二隔离层。所述第一隔离层比所述第二隔离层长。 | ||
搜索关键词: | 固态 图像传感器 及其 制造 方法 图像 拾取 装置 | ||
【主权项】:
一种固态图像传感器,包括光电转换器,用于存储经历光电转换的信号电荷;电荷检测器,用于检测所述信号电荷;以及转移晶体管,用于将所述信号电荷从所述光电转换器转移到所述电荷检测器,其中所述转移晶体管包括栅极绝缘膜,在所述栅极绝缘膜上形成的栅极电极,在所述光电转换器侧的所述栅极电极的侧壁上形成的第一隔离层,以及在所述电荷检测器侧的所述栅极电极的另一侧壁上形成的第二隔离层,并且其中所述第一隔离层比所述第二隔离层短。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的