[发明专利]半导体集成电路无效
| 申请号： | 201010003768.6 | 申请日： | 2010-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN101794773A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 三上信和;臼井弘树;中内拓也 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在此公开了一种半导体集成电路，包括：用于存储数据的存储电路部分；和配置来用作存储电路部分以外的部分并不用于存储数据的非存储电路部分，其中，第二传导型半导体区(其包括为在所述非存储电路部分中采用的第一传导型晶体管创建的沟道)的第二传导型杂质浓度低于第二传导型半导体区(其包括为在所述存储电路部分中采用的第一传导型晶体管创建的沟道)的第二传导型杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
一种半导体集成电路，包括：用于存储数据的存储电路部分；和非存储电路部分，提供来用作所述存储电路部分以外的部分，且不用于存储数据，其中，包括为在所述非存储电路部分中采用的第一传导型晶体管创建的沟道的第二传导型半导体区的第二传导型杂质浓度低于包括为在所述存储电路部分中采用的第一传导型晶体管创建的沟道的第二传导型半导体区的第二传导型杂质浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
