[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200980162433.4 | 申请日： | 2009-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN102598277A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 近藤大雄;佐藤信太郎 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂宁乐;向勇 |
| 地址： | 日本国神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 涉及包含石墨烯(graphene)层的半导体装置及其制造方法。已知通过化学气相生长法等来使石墨烯在催化金属上生长的方法，但在该方法中，由于作为导体的催化金属和石墨烯接触，因而不能将石墨烯用作沟道(channel)。本发明是一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：在基板(1)上形成催化膜(2)的工序；使石墨烯层(3)以所述催化膜(2)为起点生长的工序；在所述基板(1)上形成与所述石墨烯层(3)接触的电极(4)的工序；除去所述催化膜(2)的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在绝缘体上形成催化膜的工序；使石墨烯层以所述催化膜为起点生长的工序；在所述绝缘体上形成与所述石墨烯层接触的导电膜的工序。
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