[发明专利]单晶锗晶体生长的系统、方法和衬底无效
| 申请号： | 200980154326.7 | 申请日： | 2009-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102272361A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 刘卫国 | 申请（专利权）人： | AXT公司 |
| 主分类号： | C30B29/08 | 分类号： | C30B29/08;C30B15/20 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 钟守期;王媛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了关于单晶锗(Ge)生长的系统、方法和衬底。在一个示例性实施方案中，提供了一种生长单晶锗(Ge)晶体的方法。此外，所述方法可包括将第一Ge原料装入一个坩埚中，将第二Ge原料装入一个用以补充Ge熔体材料的容器中，将所述坩埚和容器密封在所述安瓿内，将带有坩埚的安瓿放入一个晶体生长熔炉中，以及熔化第一Ge原料和第二Ge原料，并控制熔体的结晶温度梯度以可重复地提供具有改进/所需性能的单晶锗晶锭。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶锗 晶体生长 系统 方法 衬底 | ||
【主权项】：
一种生长单晶锗(Ge)晶体的方法，所述方法包括：将第一Ge原料装入一个坩埚中，所述坩埚包括一个存放籽晶的籽晶井；将第二Ge原料装入一个用以补充原料的、待置于安瓿内的容器中；将所述坩埚和容器密封在所述安瓿内；将其中带有所述坩埚和所述容器的所述安瓿放入一个具有支撑所述安瓿的可移动安瓿支座的晶体生长熔炉中；熔化坩埚中的第一Ge原料以生成一种熔体；熔化所述容器中的第二Ge原料，并将熔化的第二Ge原料添至所述熔体中；控制熔体的结晶温度梯度，使熔体与籽晶接触时结晶并形成单晶锗晶锭；以及冷却单晶锗晶锭。
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