[发明专利]半导体陶瓷以及正温度系数热敏电阻有效
| 申请号： | 200980147310.3 | 申请日： | 2009-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN102224119A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 岸本敦司;胜勇人;后藤正人;阿部直晃;中山晃庆 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | C04B35/46 | 分类号： | C04B35/46;H01C7/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 樊建中 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体陶瓷以用一般式AmBO3来表示的具有钙钛矿型构造的BamTiO3系组成物为主成分，按照A位和B位的摩尔比m成为1.001≤m≤1.01的方式来进行配制，并且，用Li以及Na内的至少一种元素、Bi、Ca、以及稀土类元素来置换构成A位的Ba的一部分，且，在设构成上述A位的元素的总摩尔数为1摩尔时，上述Ca的含有量换算为摩尔比是0.05～0.20(优选0.125～0.175)。PTC热敏电阻的部件基体(1)用该半导体陶瓷来形成。由此，能制作出实质不含铅的非铅系的半导体陶瓷，同时保持希望的PTC特性，并具有良好的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 陶瓷 以及 温度 系数 热敏电阻 | ||
【主权项】：
一种半导体陶瓷，其为实质不含Pb的非铅系的半导体陶瓷，所述半导体陶瓷以用一般式AmBO3来表示的具有钙钛矿型构造的BamTiO3系组成物为主成分，按照A位和B位的摩尔比m成为1.001≤m≤1.01的方式来进行配制，并且，用Na、Bi、Ca、以及稀土类元素来置换构成A位的Ba的一部分，且在设构成所述A位的元素的总摩尔数为1摩尔时，所述Ca的含有量换算为摩尔比是0.05～0.20。
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