[发明专利]半导体陶瓷以及正温度系数热敏电阻有效
| 申请号： | 200980147310.3 | 申请日： | 2009-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN102224119A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 岸本敦司;胜勇人;后藤正人;阿部直晃;中山晃庆 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | C04B35/46 | 分类号： | C04B35/46;H01C7/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 樊建中 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 陶瓷 以及 温度 系数 热敏电阻 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体陶瓷，其为实质不含Pb的非铅系的半导体陶瓷，
所述半导体陶瓷以用一般式AmBO3来表示的具有钙钛矿型构造的BamTiO3系组成物为主成分，
按照A位和B位的摩尔比m成为1.001≤m≤1.01的方式来进行配制，并且，
用Na、Bi、Ca、以及稀土类元素来置换构成A位的Ba的一部分，且
在设构成所述A位的元素的总摩尔数为1摩尔时，所述Ca的含有量换算为摩尔比是0.05～0.20。
2.根据权利要求1所述的半导体陶瓷，其特征在于，
所述摩尔比m为1.001≤m≤1.004。
3.根据权利要求1或2所述的半导体陶瓷，其特征在于，
所述Ca的含有量换算为摩尔比是0.125～0.175。
4.一种正温度系数热敏电阻，其在部件基体的表面形成有一对外部电极，
所述部件基体由权利要求1～3中任一项所述的半导体陶瓷形成。
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