[发明专利]半导体层及其形成方法无效
| 申请号： | 200980146111.0 | 申请日： | 2009-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102217075A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 古川博章 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/3065;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体层(100)具备上表面(100o)、下表面(100u)以及侧面(100s)。在侧面(100s)中的侧面(100s)与上表面(100o)的边界附近部分，其切线(T1)相对于下表面(100u)的法线倾斜。在侧面(100s)中的比边界附近部分远离上表面(100o)的某部分，其切线(T2)与由下表面(100u)所规定的平面形成的角度比边界附近部分的切线(T1)与由下表面(100u)所规定的平面形成的角度大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体层，具备上表面、下表面以及侧面，上述侧面中的与上述上表面的边界附近部分的切线相对于上述下表面的法线倾斜，上述侧面中的比上述边界附近部分远离上述上表面的某部分的切线与由上述下表面所规定的平面形成的角度比上述边界附近部分的切线与由上述下表面所规定的平面形成的角度大。
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