[发明专利]形成氮化硅基薄膜或碳化硅基薄膜的方法无效
| 申请号： | 200980139851.1 | 申请日： | 2009-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102171796A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | A·B·马利克;S·D·纳马尼 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文提供一种沉积氮化硅基介电层的方法。该方法包括引导一硅前体及一氮自由基前体至一沉积腔室中。该硅前体具有N-Si-H键、N-Si-Si键及/或Si-Si-H键。该氮自由基前体实质上不含氧。该氮自由基前体是在沉积腔室外部产生。该硅前体和该氮自由基前体彼此反应而形成氮化硅基介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 氮化 薄膜 碳化硅 方法 | ||
【主权项】：
一种沉积一氮化硅基介电层的方法，该方法包括以下步骤：引导一硅前体及一氮自由基前体至一沉积腔室中，其中该硅前体具有选自于由N‑Si‑H键、N‑Si‑Si键及Si‑Si‑H键所构成的群组中的一键，该氮自由基前体实质不含氧，并且该氮自由基前体是在该沉积腔室外部产生；以及反应该硅前体及该氮自由基前体，以形成该氮化硅基介电层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料股份有限公司，未经应用材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980139851.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
