[发明专利]降低半导体外延内记忆效应的方法有效
| 申请号： | 200980120374.4 | 申请日： | 2009-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN102057078A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | M·罗伯达 | 申请（专利权）人： | 陶氏康宁公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张钦 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供在外延生长工艺过程中降低记忆效应的方法，其中使用含氢气和含卤素的气体的气体混合物在生长步骤之间冲刷CVD反应腔室。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 半导体 外延 记忆 效应 方法 | ||
【主权项】：
一种降低在半导体材料的外延生长过程中的记忆效应的方法，该方法包括：提供反应腔室；提供半导体基底；提供一种或多种前体气体；在所述反应腔室内进行掺杂的半导体材料的外延CVD生长，形成第一层；用包含氢气和含卤素的气体的气体混合物冲刷所述反应腔室；和在所述反应腔室内进行掺杂的半导体材料的外延CVD生长，形成第二层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陶氏康宁公司，未经陶氏康宁公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980120374.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种内拉锁紧专用夹具
- 下一篇：字节显示器
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
