[发明专利]半导体基板、半导体元件、发光元件以及电子元件有效

专利信息
申请号: 200980105296.0 申请日: 2009-02-20
公开(公告)号: CN101952984A 公开(公告)日: 2011-01-19
发明(设计)人: 藤冈洋 申请(专利权)人: 国立大学法人东京大学
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;C23C14/06;H01L21/203
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 岳雪兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体基板、半导体元件、发光元件以及电子元件,价格低、寿命长、发光效率高且能够弯曲。由于包括具有耐热性和对于外力的可挠性的石墨基板以及设于该石墨基板上且由13族元素氮化物构成的第一半导体层,因此,在石墨基板上形成第一半导体层时,能够使用脉冲溅射沉积法等方法,所以能够廉价地制造。另外,由于13族元素氮化物是无机物,因此寿命长,能够得到高发光效率。而且,由于石墨基板具有对于外力的可挠性,因此能够弯曲。
搜索关键词: 半导体 元件 发光 以及 电子元件
【主权项】:
一种半导体基板,其特征在于,具有:石墨基板,其具有耐热性和对于外力的可挠性;和第一半导体层,其设于所述石墨基板上且由13族元素氮化物构成。
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