[发明专利]Ⅲ族金属氮化物单晶的制造方法有效
申请号: | 200980103154.0 | 申请日: | 2009-01-22 |
公开(公告)号: | CN101925696A | 公开(公告)日: | 2010-12-22 |
发明(设计)人: | 平尾崇行;今井克宏;市村干也 | 申请(专利权)人: | 日本碍子株式会社 |
主分类号: | C30B29/38 | 分类号: | C30B29/38;C30B19/12 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人: | 李晓 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种III族金属氮化物单晶的制造方法,使用模板基板(10A),其具有:具备侧面(1b)以及一对主面(1a)的基板主体(1)、形成在主面(1a)上的III族金属氮化物单晶的基膜(2)。通过液相法,在基板主体1的至少一个主面(1a)上培养III族金属氮化物单晶(3)。从平面观测,基膜(2)呈凸图形。未设置基膜的未成面(4)包围在基膜(2)的整个周围。在基膜(2)成长的III族金属氮化物单晶(3)不与成长在其他基膜的III族金属氮化物单晶接触。 | ||
搜索关键词: | 金属 氮化物 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种III族金属氮化物单晶的制造方法,该方法使用模板基板,其具有:具备侧面以及一对主面的基板主体、形成在基板主体的至少一个所述主面上的III族金属氮化物单晶的基膜,通过液相法,在所述基膜上培养III族金属氮化物单晶,其特征是,从平面观测,所述基膜呈凸图形,未形成有所述基膜的未成面包围在基膜的整个周围,且在所述基膜成长的所述III族金属氮化物单晶不与成长在其他基膜的III族金属氮化物单晶接触。
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